SFS9620 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFS9620

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SFS9620

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFS9620 даташит

 ..1. Size:501K  samsung
 sfs9620.pdf pdf_icon

SFS9620

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -3.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Low RDS(ON) 1.111 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

 8.1. Size:502K  samsung
 sfs9624.pdf pdf_icon

SFS9620

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -2.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) 1.65 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Va

 9.1. Size:256K  fairchild semi
 sfs9634.pdf pdf_icon

SFS9620

SFS9634 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -3.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-220F Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Low RDS(ON) 0.876 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol

 9.2. Size:502K  samsung
 sfs9630.pdf pdf_icon

SFS9620

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -4.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Low RDS(ON) 0.581 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFR9224, SFS2955, SFS9510, SFS9520, SFS9530, SFS9540, SFS9610, SFS9614, IRFZ44N, SFS9624, SFS9630, SFS9634, SFS9640, SFS9644, SFS9Z14, SFS9Z24, SFS9Z34