Справочник MOSFET. 2N6660-2

 

2N6660-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2N6660-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.725 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.99 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Выходная емкость (Cd): 25 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm

Тип корпуса: TO-39

Аналог (замена) для 2N6660-2

 

 

2N6660-2 Datasheet (PDF)

0.1. 2n6660-2.pdf Size:125K _vishay

2N6660-2
2N6660-2

2N6660, 2N6660-2, 2N6660JANTX, 2N6660JANTXVwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Military QualifiedVDS (V) 60 Low On-Resistence: 1.3 RDS(on) () at VGS = 10 V 3 Low Threshold: 1.7 VConfiguration Single Low Input Capacitance: 35 pF Fast Switching Speed: 8 ns Low Input and Output LeakageTO-205AD(TO-3

7.1. 2n6656-59 2n6660-61.pdf Size:42K _no

2N6660-2

 8.1. 2n6660.pdf Size:527K _supertex

2N6660-2
2N6660-2

Supertex inc. 2N6660N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral DescriptionThe Supertex 2N6660 is an enhancement-mode (normally- Free from secondary breakdownoff) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and Low power drive requirementSupertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. Ease of parallelingThis combination produ

8.2. 2n6660 2n6661.pdf Size:21K _supertex

2N6660-2
2N6660-2

2N66602N6661N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETsOrdering InformationOrder Number / PackageBVDSS /RDS(ON) ID(ON)BVDGS (max) (min) TO-3960V 3.0 1.5A 2N666090V 4.0 1.5A 2N6661High Reliability Devices Advanced DMOS TechnologySee pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD ProcessThese enhancement-mode (normally-off) transistors utilize aFlows and Ordering Informa

 8.3. 2n6660c4a.pdf Size:236K _semelab

2N6660-2
2N6660-2

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 2N6660C4 VDSS = 60V , ID = 1.0A, RDS(ON) = 3.0 Fast Switching Low Threshold Voltage (Logic Level) Low CISS Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Surface Mounted Package High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source V

8.4. 2n6660csm4.pdf Size:129K _semelab

2N6660-2
2N6660-2

2N6660CSM4 MECHANICAL DATA NCHANNEL Dimensions in mm (inches) 1.40 0.155.59 0.13(0.055 0.006) ENHANCEMENT MODE (0.22 0.005)0.25 0.03(0.01 0.001)MOSFET 0.23rad.(0.009)V 60VDSS3 2I 1.0AD0.234 1min.(0.009)R 3.0 DS(on)1.02 0.20 2.03 0.20FEATURES (0.04 0.008) (0.08 0.008) Faster switching Low Ciss

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top