2N6661M1A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N6661M1A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
Аналог (замена) для 2N6661M1A
2N6661M1A Datasheet (PDF)
2n6661m1a.pdf

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 2N6661M1A VDSS = 90V , ID = 1.0A, RDS(ON) = 4.0 Fast Switching Low Threshold Voltage (Logic Level) Low CISS Integral Source-Drain Body Diode Hermetic Metal TO-257AA Package High Reliability Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source V
2n6661-2.pdf

2N6661, 2N6661-2, 2N6661JANTX, 2N6661JANTXVwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 90 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Military QualifiedVDS (V) 90 Low On-Resistence: 3.6 RDS(on) () at VGS = 10 V 4 Low Threshold: 1.6 VConfiguration Single Low Input Capacitance: 35 pF Fast Switching Speed: 6 nsTO-205AD Low Input and Output Leakage(TO-39
2n6661 vn88afd.pdf

2N6661/VN88AFDVishay SiliconixN-Channel 80-V and 90-V (D-S) MOSFETSPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)2N6661 90 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.9VN88AFD 80 4 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.29FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 3.6 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOSD Low Threshold: 1.6 V D Low-Voltage O
2n6661.pdf

Supertex inc.2N6661N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeaturesGeneral DescriptionThe Supertex 2N6661 is an enhancement-mode (normally- Free from secondary breakdownoff) transistor that utilizes a vertical DMOS structure Low power drive requirementand Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing Ease of parallelingprocess. This combination produc
Другие MOSFET... 2N6659-2 , 2N6659X , 2N6660-2 , 2N6660C4A , 2N6660CSM4 , 2N6661-2 , 2N6661CSM4 , 2N6661DCSM , IRF1010E , 2N6782U , 2N6784U , 2N6786U , 2N6788L , 2N6788LCC4 , 2N6788U , 2N6790U , 2N6792U .
History: STH9N80FI | IXTC230N085T | PM3400 | ME2310 | PH1730AL
History: STH9N80FI | IXTC230N085T | PM3400 | ME2310 | PH1730AL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent