2N6800U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N6800U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34.75 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: LCC18
2N6800U Datasheet (PDF)
2n6800u.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 DEVICES LEVELS JAN 2N6800 2N6800UJANTX JANTXV ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C unless otherwise noted) Parameters / Test Conditions Symbol Value Unit Drain Source Voltag
2n6800 irff330.pdf
PD - 90432CIRFF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6800THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/557400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF330 400V 1.0 3.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing
2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf
2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N68002N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/557DESCRIPTIO
2n6800.pdf
2N6800SEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNEL POWER MOSFET BVDSS 400V ID 3.0A RDS(on) 1.0 FEATURES ! AVALANCHE ENERGY RATED
2n6800lcc4.pdf
2N6800LCC4 MECHANICAL DATA NCHANNEL Dimensions in mm (inches) 9.14 (0.360)ENHANCEMENT MODE 1.27 (0.050) 8.64 (0.340)1.07 (0.040) 2.16 (0.085)12 13 14 15 16HIGH VOLTAGE 1.39 (0.055)1.02 (0.040)POWER MOSFETS 11 1710 18 7.62 (0.300) 7.12 (0.280)9 10.76 (0.030)8 2 BV 400V0.51 (0.020) DSS0.33 (0.013) ID 3.0ARad.0.08 (0.003)7 6 5 4 3R 1.0
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918