2N6802U. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N6802U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: LCC18
Аналог (замена) для 2N6802U
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2N6802U даташит
2n6802u.pdf
PD - 91719B IRFE430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802U HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6802U SURFACE MOUNT (LCC-18) [REF MIL-PRF-19500/557] 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE430 500V 1.50 2.5A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface mount technology. Desinged
2n6802 irff430.pdf
PD -90433C IRFF430 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6802 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6802 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/557 500V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF430 500V 1.5 2.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing
2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf
2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N6800 2N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557 100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/557 DESCRIPTIO
2n6804 irf9130.pdf
PD - 90549C IRF9130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6804 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6804 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/562] 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF9130 -100V 0.30 -11A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique pr
Другие MOSFET... 2N6790U , 2N6792U , 2N6794U , 2N6796LCC4 , 2N6796U , 2N6798U , 2N6800LCC4 , 2N6800U , IRFB3607 , 2N6845LCC4 , 2N6845U , 2N6847U , 2303 , 2304 , 2305 , 4414 , 4614 .
History: E10P02 | APQ02SN65AH | SI4447DY
History: E10P02 | APQ02SN65AH | SI4447DY
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet










