SFU9214 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFU9214

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SFU9214

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFU9214 даташит

 ..1. Size:309K  fairchild semi
sfu9214 sfr9214.pdfpdf_icon

SFU9214

SFR/U9214 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 4.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.53 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 3.15 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Abs

 8.1. Size:256K  fairchild semi
sfr9210 sfu9210.pdfpdf_icon

SFU9214

SFR/U9210 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 3.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -1.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 2.084 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximu

 9.1. Size:257K  fairchild semi
sfr9220 sfu9220.pdfpdf_icon

SFU9214

SFR/U9220 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -3.1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 1.111 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum

 9.2. Size:269K  fairchild semi
sfu9224 sfr9224.pdfpdf_icon

SFU9214

SFR/U9224 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -2.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 1.65 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum

Другие IGBT... SFU2955, SFU9014, SFU9024, SFU9034, SFU9110, SFU9120, SFU9130, SFU9210, IRFB4227, SFU9220, SFU9224, SFU9310, SFW2955, SFW9510, SFW9520, SFW9530, SFW9540