IPP062NE7N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPP062NE7N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IPP062NE7N3
IPP062NE7N3 Datasheet (PDF)
ipp062ne7n3 ipp062ne7n3g.pdf

## ! ! TM #:A0 m D n) m xQ #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BCDQ H35
ipp062ne7n3.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP062NE7N3IIPP062NE7N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.2mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE M
ipb06cn10n-g ipi06cn10n-g ipp06cn10n-g.pdf

IPB06CN10N G IPI06CN10N GIPP06CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 6.2mDS(on),max (TO263) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 100 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target
ipp065n03l.pdf

pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@
Другие MOSFET... IPP030N10N3 , IPP032N06N3 , IPP037N06L3 , IPP037N08N3 , IPP039N10N5 , IPP040N06N3 , IPP048N04N , IPP052NE7N3 , AO3401 , IPP065N03L , IPP072N10N3 , IPP084N06L3 , IPP086N10N3 , IPP126N10N3 , IPP12CN10N , IPP180N10N3 , IPP26CN10N .
History: MTB20A06Q8 | NCEP1545G | SIHD5N50D
History: MTB20A06Q8 | NCEP1545G | SIHD5N50D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06