IPP180N10N3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPP180N10N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPP180N10N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP180N10N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP180N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  inchange semiconductor
 ipp180n10n3.pdf pdf_icon

IPP180N10N3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP180N10N3IIPP180N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 18mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE

 0.1. Size:559K  infineon
 ipp180n10n3g ipi180n10n3g.pdf pdf_icon

IPP180N10N3

## ! ! # ! ! TM #:A0

 0.2. Size:299K  infineon
 ipp180n10n3-g ipi180n10n3-g.pdf pdf_icon

IPP180N10N3

IPP180N10N3 GIPI180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 18mDS(on),max TO-263 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 43 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applicatio

Другие MOSFET... IPP052NE7N3 , IPP062NE7N3 , IPP065N03L , IPP072N10N3 , IPP084N06L3 , IPP086N10N3 , IPP126N10N3 , IPP12CN10N , 60N06 , IPP26CN10N , IPP35CN10N , IPP80CN10N , IPW60R060C7 , IPW60R070CFD7 , IPW60R080P7 , IPW60R099P7 , IPW60R120C7 .

 

 
Back to Top

 


 
.