IRL60B216 - описание и поиск аналогов

 

IRL60B216. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL60B216

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRL60B216

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL60B216 даташит

 ..1. Size:692K  international rectifier
irl60b216.pdfpdf_icon

IRL60B216

StrongIRFET IRL60B216 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 1.5m Battery powered circuits max 1.9m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 305A Resonant mode power suppli

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
irl60b216.pdfpdf_icon

IRL60B216

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL60B216 IIRL60B216 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.9m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIM

 9.1. Size:972K  infineon
irl60sc216.pdfpdf_icon

IRL60B216

IRL60SC216 MOSFET D -PAK 7pin IR MOSFET - StrongIRFET Features tab Very low R DS(on) Optimized for logic level drive High current carrying capability 175 C operating temperature 7 Optimized for broadest availability from distribution partners 6 5 4 3 2 1 Benefits Reduced conduction losses Increased power density Increased reliability vers

 9.2. Size:1078K  infineon
irl60hs118.pdfpdf_icon

IRL60B216

IRL60HS118 Typical values (unless otherwise specified) Target Applications Wireless charging V V R (max ) DSS GS DS(on) . Adapter 60V min. 20V max 17m @ 10V Telecom Q Q V g tot gd gs(th) 5.3nC 2.1nC 1.7V Benefits Top View Higher power density designs Higher switching frequency D 1 6 D Uses OptiMOSTM5 Chip Reduced parts count

Другие MOSFET... IRF60B217 , IRF630NSTRRPBF , IRFP4127 , IRFP4868 , IRFP7537 , IRFP7718 , IRL40B212 , IRL40B215 , IRF840 , IRL8114 , TK10A50W , TK10A60D5 , TK10A80W , TK10E80W , TK12A50D5 , TK12A50W , TK12A80W .

History: LDP9933ET1G | IRFH5304 | FDP027N08B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.