TK22A65X5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK22A65X5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
TK22A65X5 Datasheet (PDF)
tk22a65x5.pdf
TK22A65X5MOSFET NMOS (DTMOS-H)TK22A65X5TK22A65X5TK22A65X5TK22A65X51. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : RDS(ON) = 0.135 ()(2)
tk22a65x5.pdf
INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK22A65X5ITK22A65X5FEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.135 (typ.)Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=1.1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
tk22a10n1.pdf
TK22A10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK22A10N1TK22A10N1TK22A10N1TK22A10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enh
tk22a10n1.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK22A10N1ITK22A10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 11.5m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
