Справочник MOSFET. TK22A65X5

 

TK22A65X5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK22A65X5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для TK22A65X5

 

 

TK22A65X5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  toshiba
 tk22a65x5.pdf

TK22A65X5 TK22A65X5

TK22A65X5MOSFET NMOS (DTMOS-H)TK22A65X5TK22A65X5TK22A65X5TK22A65X51. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : RDS(ON) = 0.135 ()(2)

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk22a65x5.pdf

TK22A65X5 TK22A65X5

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK22A65X5ITK22A65X5FEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.135 (typ.)Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=1.1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 9.1. Size:235K  toshiba
 tk22a10n1.pdf

TK22A65X5 TK22A65X5

TK22A10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK22A10N1TK22A10N1TK22A10N1TK22A10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 11.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enh

 9.2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk22a10n1.pdf

TK22A65X5 TK22A65X5

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK22A10N1ITK22A10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 11.5m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top