D7509 - описание и поиск аналогов

 

D7509. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D7509

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для D7509

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

D7509 даташит

 ..1. Size:912K  china
 d7509 fd7509 id7509 ed7509.pdf pdf_icon

D7509

D7509/FD7509/ID7509/ED7509 80A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS V DS = 75V Used advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with R 6.7m DS(on) TYP) = the RoHS standard. I = 80A D 2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Switching

 ..2. Size:1010K  cn wxdh
 d7509 fd7509 id7509 ed7509.pdf pdf_icon

D7509

D7509/FD7509/ID7509/ED7509 80A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 75V Used advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with G RDS = 6.7m (on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S ID = 80A 2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Swit

Другие MOSFET... SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , 4N60 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 .

History: IRF9243 | SM1A18NSQG | SVF4N65F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.