FD7509 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FD7509
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 108 nC
Время нарастания (tr): 42 ns
Выходная емкость (Cd): 373 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
FD7509 Datasheet (PDF)
..1. Size:912K china
d7509 fd7509 id7509 ed7509.pdf
d7509 fd7509 id7509 ed7509.pdf
D7509/FD7509/ID7509/ED750980A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETSVDS = 75VUsed advanced trench technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withR 6.7mDS(on) TYP) =the RoHS standard.I = 80AD2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Switching
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
