Справочник MOSFET. SFW9634

 

SFW9634 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFW9634
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SFW9634

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFW9634 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  samsung
 sfw9634.pdf pdf_icon

SFW9634

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -5.0 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V2 Low RDS(ON) : 0.876 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 8.1. Size:256K  fairchild semi
 sfi9630 sfw9630.pdf pdf_icon

SFW9634

SFW/I9630Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -6.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V2 Low RDS(ON) : 0.581 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximu

 8.2. Size:501K  samsung
 sfw9630.pdf pdf_icon

SFW9634

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -6.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -200V2 Low RDS(ON) : 0.581 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

 9.1. Size:259K  fairchild semi
 sfi9624 sfw9624.pdf pdf_icon

SFW9634

SFW/I9624Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -250 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -2.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -250V2 Low RDS(ON) : 1.65 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SFW9520 , SFW9530 , SFW9540 , SFW9610 , SFW9614 , SFW9620 , SFW9624 , SFW9630 , 12N60 , SFW9640 , SFW9644 , SFW9Z14 , SFW9Z24 , SFW9Z34 , SI3443DVPBF , SI3812DV , SI3851DV .

 

 
Back to Top

 


 
.