Справочник MOSFET. BSC009NE2LS5I

 

BSC009NE2LS5I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC009NE2LS5I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC009NE2LS5I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC009NE2LS5I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1528K  infineon
bsc009ne2ls5i.pdfpdf_icon

BSC009NE2LS5I

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5IData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5ISuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance buck converters Monolithic integrated Schottky like diode Very low on

 2.1. Size:1502K  infineon
bsc009ne2ls5.pdfpdf_icon

BSC009NE2LS5I

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 25 VBSC009NE2LS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance buck converters Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% ava

 3.1. Size:693K  infineon
bsc009ne2ls.pdfpdf_icon

BSC009NE2LS5I

BSC009NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for e-fuse and ORing applicationRDS(on),max 0.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 38 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 126 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 P

 9.1. Size:1552K  infineon
bsc007n04ls6.pdfpdf_icon

BSC009NE2LS5I

BSC007N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

Другие MOSFET... BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , 2N7000 , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , BSC010NE2LSI , BSC011N03LSI , BSC014N03LS , BSC014N03MS , BSC014N04LS , BSC014N04LSI .

History: CSD87353Q5D | HGN028NE6A | IRFBC40SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.