Справочник MOSFET. BSC016N03LS

 

BSC016N03LS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC016N03LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8

 Аналог (замена) для BSC016N03LS

 

 

BSC016N03LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  infineon
 bsc016n03ls.pdf

BSC016N03LS BSC016N03LS

BSC016N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.6mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 ..2. Size:679K  infineon
 bsc016n03ls .pdf

BSC016N03LS BSC016N03LS

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 1 m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6=Q &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2

 0.1. Size:387K  infineon
 bsc016n03lsg.pdf

BSC016N03LS BSC016N03LS

BSC016N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.6mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 5.1. Size:542K  infineon
 bsc016n03msg.pdf

BSC016N03LS BSC016N03LS

% ! % # %?88, G D ON S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD

 5.2. Size:194K  infineon
 bsc016n03ms.pdf

BSC016N03LS BSC016N03LS

BSC016N03MS GProduct SummaryOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETV 30 VDSFeaturesR V =10 V 1.6mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 2GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 100 AD 100% avalanche tested N-channelPG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top