BSC025N03MS - описание и поиск аналогов

 

BSC025N03MS - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSC025N03MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC025N03MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC025N03MS технические параметры

 ..1. Size:194K  infineon
bsc025n03ms.pdfpdf_icon

BSC025N03MS

BSC025N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary V 30 V Features DS R V =10 V 2.5 m DS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) V =4.5 V 3 GS Low FOMSW for High Frequency SMPS I 100 A D 100% avalanche tested N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (

 0.1. Size:542K  infineon
bsc025n03msg.pdfpdf_icon

BSC025N03MS

% ! % D %0 G D ON S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 . A@ G S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@E S .GB7D;AD F 7

 5.1. Size:382K  infineon
bsc025n03ls.pdfpdf_icon

BSC025N03MS

BSC025N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Super

 5.2. Size:384K  infineon
bsc025n03lsg.pdfpdf_icon

BSC025N03MS

BSC025N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Super

Другие MOSFET... BSC016N06NS , BSC018NE2LSI , BSC019N02KS , BSC019N04LS , BSC020N03LS , BSC020N03MS , BSC022N04LS , BSC025N03LS , IRF530 , BSC026N02KS , BSC026N04LS , BSC026N08NS5 , BSC026NE2LS5 , BSC028N06NS , BSC030N03LS , BSC030N03MS , BSC030N08NS5 .

History: 2SK1727 | IRFH8318PBF

 

 
Back to Top

 


 
.