BSC025N03MS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSC025N03MS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSC025N03MS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC025N03MS даташит

 ..1. Size:194K  infineon
bsc025n03ms.pdfpdf_icon

BSC025N03MS

BSC025N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary V 30 V Features DS R V =10 V 2.5 m DS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) V =4.5 V 3 GS Low FOMSW for High Frequency SMPS I 100 A D 100% avalanche tested N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (

 0.1. Size:542K  infineon
bsc025n03msg.pdfpdf_icon

BSC025N03MS

% ! % D %0 G D ON S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 . A@ G S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@E S .GB7D;AD F 7

 5.1. Size:382K  infineon
bsc025n03ls.pdfpdf_icon

BSC025N03MS

BSC025N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Super

 5.2. Size:384K  infineon
bsc025n03lsg.pdfpdf_icon

BSC025N03MS

BSC025N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 2.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Super

Другие IGBT... BSC016N06NS, BSC018NE2LSI, BSC019N02KS, BSC019N04LS, BSC020N03LS, BSC020N03MS, BSC022N04LS, BSC025N03LS, IRF530, BSC026N02KS, BSC026N04LS, BSC026N08NS5, BSC026NE2LS5, BSC028N06NS, BSC030N03LS, BSC030N03MS, BSC030N08NS5