BSC030N03MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSC030N03MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: PG-TDSON-8
Аналог (замена) для BSC030N03MS
BSC030N03MS Datasheet (PDF)
bsc030n03ms.pdf
BSC030N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 3mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 3.8GSI 100 A 100% avalanche tested DPG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Excellent gate charge x RDS(on) product
bsc030n03msg.pdf
% ! % D %0S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 - . A@ 0G =4 S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J - . A@ BDA6G5F !* ( 1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD
bsc030n03ls .pdf
& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeatures D m Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- D n) m x 1 DQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC1) G D ON Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @
bsc030n03lsg.pdf
BSC030N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDSR 3m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),maxI 100 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi
bsc030n03ls.pdf
BSC030N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDSR 3m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),maxI 100 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918