Справочник MOSFET. BSC050N03LS

 

BSC050N03LS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC050N03LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC050N03LS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC050N03LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  infineon
bsc050n03ls.pdfpdf_icon

BSC050N03LS

BSC050N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 80 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

 ..2. Size:691K  infineon
bsc050n03ls .pdfpdf_icon

BSC050N03LS

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>

 0.1. Size:522K  infineon
bsc050n03lsg.pdfpdf_icon

BSC050N03LS

BSC050N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 80 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

 5.1. Size:485K  infineon
bsc050n03ms.pdfpdf_icon

BSC050N03LS

BSC050N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 5 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 6.3 100% avalanche tested ID 80 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

Другие MOSFET... BSC039N06NS , BSC040N08NS5 , BSC040N10NS5 , BSC042N03LS , BSC042N03MS , BSC042N03S , BSC046N02KS , BSC046N10NS3G , IRF830 , BSC050N03MS , BSC052N08NS5 , BSC057N03LS , BSC057N03MS , BSC059N03S , BSC061N08NS5 , BSC066N06NS , BSC070N10NS5 .

History: TSM9409CS | NVMD3P03 | SQ2348ES

 

 
Back to Top

 


 
.