Справочник MOSFET. BSC057N03MS

 

BSC057N03MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC057N03MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: PG-TDSON-8
 

 Аналог (замена) для BSC057N03MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC057N03MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:486K  infineon
 bsc057n03ms.pdf pdf_icon

BSC057N03MS

BSC057N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)RDS(on),max VGS=10 V 5.7 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 7.2 100% avalanche testedID 71 A N-channelPG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM

 0.1. Size:548K  infineon
 bsc057n03msg5.pdf pdf_icon

BSC057N03MS

% ! % D %0 G D ON S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD F:7

 0.2. Size:525K  infineon
 bsc057n03msg.pdf pdf_icon

BSC057N03MS

BSC057N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)RDS(on),max VGS=10 V 5.7 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 7.2 100% avalanche testedID 71 A N-channelPG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM

 5.1. Size:521K  infineon
 bsc057n03lsg.pdf pdf_icon

BSC057N03MS

BSC057N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 71 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC042N03MS , BSC042N03S , BSC046N02KS , BSC046N10NS3G , BSC050N03LS , BSC050N03MS , BSC052N08NS5 , BSC057N03LS , RU6888R , BSC059N03S , BSC061N08NS5 , BSC066N06NS , BSC070N10NS5 , BSC072N03LD , BSC072N08NS5 , BSC079N03SG , BSC080N03LS .

History: TPW65R120M | BLM07N06-P | PHP143NQ04T

 

 
Back to Top

 


 
.