BSC080N03LS - описание и поиск аналогов

 

BSC080N03LS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC080N03LS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

Аналог (замена) для BSC080N03LS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC080N03LS даташит

 ..1. Size:482K  infineon
bsc080n03ls.pdfpdf_icon

BSC080N03LS

BSC080N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 8 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 53 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio

 0.1. Size:521K  infineon
bsc080n03lsg.pdfpdf_icon

BSC080N03LS

BSC080N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 8 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 53 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio

 0.2. Size:688K  infineon
bsc080n03ls5.pdfpdf_icon

BSC080N03LS

& " & E $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m D n) m x Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C G D ON Q ( 492??6= &@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q -EA6B @B D96B>2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @"- 4

 5.1. Size:524K  infineon
bsc080n03msg.pdfpdf_icon

BSC080N03LS

BSC080N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 8 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 10.2 100% avalanche tested ID 53 A N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

Другие MOSFET... BSC057N03MS , BSC059N03S , BSC061N08NS5 , BSC066N06NS , BSC070N10NS5 , BSC072N03LD , BSC072N08NS5 , BSC079N03SG , IRLB3034 , BSC080N03MS , BSC0901NSI , BSC0902NSI , BSC0904NSI , BSC0910NDI , BSC0911ND , BSC0921NDI , BSC0923NDI .

History: CEA3055L | APM7318KC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.