BSC080N03MS - описание и поиск аналогов

 

BSC080N03MS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC080N03MS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

Аналог (замена) для BSC080N03MS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC080N03MS даташит

 ..1. Size:485K  infineon
bsc080n03ms.pdfpdf_icon

BSC080N03MS

BSC080N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 8 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 10.2 100% avalanche tested ID 53 A N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

 0.1. Size:524K  infineon
bsc080n03msg.pdfpdf_icon

BSC080N03MS

BSC080N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 8 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 10.2 100% avalanche tested ID 53 A N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

 0.2. Size:539K  infineon
bsc080n03msg5.pdfpdf_icon

BSC080N03MS

% ! % D %0 S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 D n) G S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@E S .GB7D;AD F 7D?3

 5.1. Size:521K  infineon
bsc080n03lsg.pdfpdf_icon

BSC080N03MS

BSC080N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 8 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 53 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio

Другие MOSFET... BSC059N03S , BSC061N08NS5 , BSC066N06NS , BSC070N10NS5 , BSC072N03LD , BSC072N08NS5 , BSC079N03SG , BSC080N03LS , IRF9640 , BSC0901NSI , BSC0902NSI , BSC0904NSI , BSC0910NDI , BSC0911ND , BSC0921NDI , BSC0923NDI , BSC0924NDI .

History: DM7N65C-F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.