Справочник MOSFET. BSC0921NDI

 

BSC0921NDI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC0921NDI
   Маркировка: 0921NDI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: PG-TISON-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC0921NDI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  infineon
bsc0921ndi.pdfpdf_icon

BSC0921NDI

BSC0921NDIDual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 1.6 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 7 2.1 N-channelID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant

 8.1. Size:690K  infineon
bsc0923ndi.pdfpdf_icon

BSC0921NDI

BSC0923NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 2.8 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 7 3.7 100% avalanche testedID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; R

 8.2. Size:586K  infineon
bsc0925nd.pdfpdf_icon

BSC0921NDI

BSC0925NDOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Dual N-channel OptiMOS MOSFETRDS(on),max 5 mW Optimized for clean switchingID 40 A 100% avalanche testedQOSS 8.6 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 13 nC Optimized for high performance Buck converter Qualified according to JEDEC1) for target applicationsVPhase

 8.3. Size:685K  infineon
bsc0924ndi.pdfpdf_icon

BSC0921NDI

BSC0924NDIDual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Integrated monolithic Schottky-like diodeRDS(on),max VGS=10 V 5 3.7 mW Optimized for high performance Buck converter VGS=4.5 V 7 5.2 Logic level (4.5V rated)ID 40 40 A 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC1) for tar

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4407GM | 3SK258 | CS3100TH | SI7720DN | AP4455GMT-HF | 3SK291 | NCE6045XAG

 

 
Back to Top

 


 
.