BSC0924NDI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSC0924NDI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: PG-TISON-8
Аналог (замена) для BSC0924NDI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC0924NDI даташит
bsc0924ndi.pdf
BSC0924NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFET Product Summary Features Q1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFET VDS 30 30 V Integrated monolithic Schottky-like diode RDS(on),max VGS=10 V 5 3.7 mW Optimized for high performance Buck converter VGS=4.5 V 7 5.2 Logic level (4.5V rated) ID 40 40 A 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC1) for tar
bsc0923ndi.pdf
BSC0923NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFET Product Summary Features Q1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFET VDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 2.8 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 7 3.7 100% avalanche tested ID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; R
bsc0925nd.pdf
BSC0925ND OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Dual N-channel OptiMOS MOSFET RDS(on),max 5 mW Optimized for clean switching ID 40 A 100% avalanche tested QOSS 8.6 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 13 nC Optimized for high performance Buck converter Qualified according to JEDEC1) for target applications VPhase
bsc0921ndi.pdf
BSC0921NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFET Product Summary Features Q1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFET VDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 1.6 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 7 2.1 N-channel ID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant
Другие MOSFET... BSC080N03MS , BSC0901NSI , BSC0902NSI , BSC0904NSI , BSC0910NDI , BSC0911ND , BSC0921NDI , BSC0923NDI , AO4407A , BSC0925ND , BSC097N06NS , BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD .
History: HU50N06D | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T | IPI111N15N3 | HCFL65R210 | MEE7630-G | JCS10N65CT
History: HU50N06D | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T | IPI111N15N3 | HCFL65R210 | MEE7630-G | JCS10N65CT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor




