Справочник MOSFET. BSC0924NDI

 

BSC0924NDI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC0924NDI
   Маркировка: 0924NDI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: PG-TISON-8

 Аналог (замена) для BSC0924NDI

 

 

BSC0924NDI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  infineon
bsc0924ndi.pdf

BSC0924NDI
BSC0924NDI

BSC0924NDIDual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Integrated monolithic Schottky-like diodeRDS(on),max VGS=10 V 5 3.7 mW Optimized for high performance Buck converter VGS=4.5 V 7 5.2 Logic level (4.5V rated)ID 40 40 A 100% avalanche tested Qualified according to JEDEC1) for tar

 8.1. Size:690K  infineon
bsc0923ndi.pdf

BSC0924NDI
BSC0924NDI

BSC0923NDI Dual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 2.8 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 7 3.7 100% avalanche testedID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; R

 8.2. Size:586K  infineon
bsc0925nd.pdf

BSC0924NDI
BSC0924NDI

BSC0925NDOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Dual N-channel OptiMOS MOSFETRDS(on),max 5 mW Optimized for clean switchingID 40 A 100% avalanche testedQOSS 8.6 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 13 nC Optimized for high performance Buck converter Qualified according to JEDEC1) for target applicationsVPhase

 8.3. Size:693K  infineon
bsc0921ndi.pdf

BSC0924NDI
BSC0924NDI

BSC0921NDIDual N-Channel OptiMOS MOSFETProduct Summary FeaturesQ1 Q2 Dual N-channel OptiMOS MOSFETVDS 30 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max VGS=10 V 5 1.6 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 7 2.1 N-channelID 40 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top