SI3853DV datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI3853DV  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI3853DV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3853DV даташит

 ..1. Size:213K  vishay
 si3853dv.pdf pdf_icon

SI3853DV

Si3853DV Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Definition 0.200 at VGS = - 4.5 V 1.8 LITTLE FOOT Plus - 20 0.340 at VGS = - 2.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1.3 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) IF (A) Diode Forwa

 9.1. Size:210K  vishay
 si3850adv.pdf pdf_icon

SI3853DV

Si3850ADV Vishay Siliconix Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.300 at VGS = 4.5 V 1.4 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 20 0.410 at VGS = 3.0 V 1.2 100 % Rg Tested 0.640 at VGS = - 4.5 V - 0.96 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Cha

 9.2. Size:109K  vishay
 si3850dv.pdf pdf_icon

SI3853DV

Si3850DV Vishay Siliconix Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel) FEATURES PRODUCT SUMMARY D 100% Rg Tested VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.500 @ VGS = 4.5 V 1.2 N-Channel 20 N-Channel 20 0.750 @ VGS = 3.0 V 1.0 1.00 @ VGS = -4.5 V -0.85 P Channel 20 P-Channel -20 1.30 @ VGS = -3.0 V -0.75 S2 TSOP-6 Top View G2 G1 1 6 S1 D D 5 D 2 G2 3 4 S2 G1 Ordering Informat

 9.3. Size:116K  vishay
 si3851dv.pdf pdf_icon

SI3853DV

Si3851DV Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Definition 0.200 at VGS = - 10 V 1.8 LITTLE FOOT Plus - 30 0.360 at VGS = - 4.5 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1.2 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) IF (A) Diode Forwar

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SFW9640, SFW9644, SFW9Z14, SFW9Z24, SFW9Z34, SI3443DVPBF, SI3812DV, SI3851DV, SPP20N60C3, SI4410DY, SI4435DY, SI4810DY, SI4812DY, SI4816DY, SI4818DY, SI4831DY, SI4832DY