BSC120N03MS - описание и поиск аналогов

 

BSC120N03MS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC120N03MS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PG-TDSON-8

Аналог (замена) для BSC120N03MS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC120N03MS даташит

 ..1. Size:485K  infineon
bsc120n03ms.pdfpdf_icon

BSC120N03MS

BSC120N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary VDS 30 V Features RDS(on),max VGS=10 V 12 mW Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) VGS=4.5 V 14 Low FOMSW for High Frequency SMPS ID 39 A 100% Avalanche tested PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

 0.1. Size:524K  infineon
bsc120n03msg.pdfpdf_icon

BSC120N03MS

BSC120N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary VDS 30 V Features RDS(on),max VGS=10 V 12 mW Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) VGS=4.5 V 14 Low FOMSW for High Frequency SMPS ID 39 A 100% Avalanche tested PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

 0.2. Size:678K  infineon
bsc120n03msg7.pdfpdf_icon

BSC120N03MS

% ! % # %?88, S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 D n) G S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@E S .GB7D;AD F 7

 5.1. Size:520K  infineon
bsc120n03lsg.pdfpdf_icon

BSC120N03MS

BSC120N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 12 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 39 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superi

Другие MOSFET... BSC0923NDI , BSC0924NDI , BSC0925ND , BSC097N06NS , BSC098N10NS5 , BSC100N03MS , BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , IRF740 , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , BSD316SN , BSD816SN .

History: 4N65KL-TA3-T | IRFU3704PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.