Справочник MOSFET. BSL802SN

 

BSL802SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSL802SN
   Маркировка: sPP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOT-457
 

 Аналог (замена) для BSL802SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL802SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  infineon
 bsl802sn.pdf pdf_icon

BSL802SN

BSL802SN$=@6"$'F ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDSU ) 8=6CC:A 1 22m DS(on) max GSU C=6C8:B :CH B D9: 1 1GSU 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7.5 ADU J6A6C8=: F6H:9U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH65412Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 PackingBSL802SN PGTSOP6 ' E8G F::A sPP

 9.1. Size:419K  infineon
 bsl806n.pdf pdf_icon

BSL802SN

BSL806NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDSU I6A ) 8=6CC:A 1 57 m DS(on) max GSU C=6C8:B :CH B D9: 1 82GSU 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 2. ADU J6A6C8=: F6H:9U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH65412Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 PackingBSL806N PGTSOP6 ' E8G F::A sPQ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.