BSL802SN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSL802SN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOT-457
Аналог (замена) для BSL802SN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSL802SN даташит
bsl802sn.pdf
BSL802SN $=@6"$'F ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS U ) 8=6CC A 1 22 m DS(on) max GS U C=6C8 B CH B D9 1 1 GS U 0 AHF6 'D8 A J A 1 F6H 9 7.5 A D U J6A6C8= F6H 9 U , I6A>;> 9 688DF9>C6CH 6 5 4 1 2 Type Package (.=2 .;1 &229 ;3 .@622 Packing BSL802SN PG TSOP6 ' E8G F A sPP
bsl806n.pdf
BSL806N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS U I6A ) 8=6CC A 1 57 m DS(on) max GS U C=6C8 B CH B D9 1 82 GS U 0 AHF6 'D8 A J A 1 F6H 9 2. A D U J6A6C8= F6H 9 U , I6A>;> 9 688DF9>C6CH 6 5 4 1 2 Type Package (.=2 .;1 &229 ;3 .@622 Packing BSL806N PG TSOP6 ' E8G F A sPQ
Другие MOSFET... BSL215C , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , BSL606SN , IRF4905 , BSL806N , BSN20-7 , BSN20BK , BSO200P03S , BSO201SP , BSO203P , BSO203SP , BSO207P .
History: SDD06N70 | PSMN7R5-30YLD
History: SDD06N70 | PSMN7R5-30YLD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g


