BSO303P - описание и поиск аналогов

 

Аналоги BSO303P. Основные параметры


   Наименование производителя: BSO303P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для BSO303P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO303P даташит

 ..1. Size:462K  infineon
bso303p.pdfpdf_icon

BSO303P

BSO303P H OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS -30 V Dual P-Channel in SO8 VGS=-10V RDS(on),max 21 mW Enhancement mode VGS=-4.5V 32 Logic level ID -8.2 A 150 C operating temperature Qualified according JEDEC for target applications SO 8 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Type

 0.1. Size:499K  infineon
bso303ph 1.3.pdfpdf_icon

BSO303P

BSO303P H OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS -30 V Dual P-Channel in SO8 VGS=-10V RDS(on),max 21 mW Enhancement mode VGS=-4.5V 32 Logic level ID -8.2 A 150 C operating temperature Qualified according JEDEC for target applications SO 8 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Type

 8.1. Size:332K  infineon
bso303sp .pdfpdf_icon

BSO303P

BSO303SP H OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features V -30 V DS single P-Channel in SO8 VGS=-4.5 V R 21 m DS(on),max Enhancement mode VGS=-2.5 V 31 m Logic level I -9.1 A D 150 C operating temperature PG-DSO-8 Qualified according JEDEC for traget applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IE

 8.2. Size:623K  infineon
bso303sp.pdfpdf_icon

BSO303P

BSO303SP H OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features VDS -30 V single P-Channel in SO8 RDS(on),max VGS=-10 V 21 mW Enhancement mode VGS=-4.5 V 31 mW Logic level ID -9.1 A 150 C operating temperature PG-DSO-8 Qualified according JEDEC for traget applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ty

Другие MOSFET... BSO200P03S , BSO201SP , BSO203P , BSO203SP , BSO207P , BSO211P , BSO220N03MD , BSO301SP , 5N65 , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , BSP125 , BSP129 , BSP135 , BSP149 .

 

 
Back to Top

 


 
.