Справочник MOSFET. BSO303P

 

BSO303P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSO303P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для BSO303P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO303P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  infineon
 bso303p.pdf pdf_icon

BSO303P

BSO303P HOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V Dual P-Channel in SO8VGS=-10VRDS(on),max 21mW Enhancement modeVGS=-4.5V 32 Logic level ID -8.2 A 150C operating temperature Qualified according JEDEC for target applicationsSO 8 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliantType

 0.1. Size:499K  infineon
 bso303ph 1.3.pdf pdf_icon

BSO303P

BSO303P HOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V Dual P-Channel in SO8VGS=-10VRDS(on),max 21mW Enhancement modeVGS=-4.5V 32 Logic level ID -8.2 A 150C operating temperature Qualified according JEDEC for target applicationsSO 8 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliantType

 8.1. Size:332K  infineon
 bso303sp .pdf pdf_icon

BSO303P

BSO303SP HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS single P-Channel in SO8VGS=-4.5 V R 21mDS(on),max Enhancement modeVGS=-2.5 V 31m Logic levelI -9.1 AD 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for traget applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IE

 8.2. Size:623K  infineon
 bso303sp.pdf pdf_icon

BSO303P

BSO303SP HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V single P-Channel in SO8RDS(on),max VGS=-10 V 21mW Enhancement modeVGS=-4.5 V31mW Logic levelID -9.1 A 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for traget applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Ty

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSO200P03S , BSO201SP , BSO203P , BSO203SP , BSO207P , BSO211P , BSO220N03MD , BSO301SP , 4435 , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , BSP125 , BSP129 , BSP135 , BSP149 .

History: JMSH1004BGWQ | JMSH1004RG | STF22NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.