BSO303P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSO303P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSO303P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO303P даташит

 ..1. Size:462K  infineon
 bso303p.pdf pdf_icon

BSO303P

BSO303P H OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS -30 V Dual P-Channel in SO8 VGS=-10V RDS(on),max 21 mW Enhancement mode VGS=-4.5V 32 Logic level ID -8.2 A 150 C operating temperature Qualified according JEDEC for target applications SO 8 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Type

 0.1. Size:499K  infineon
 bso303ph 1.3.pdf pdf_icon

BSO303P

BSO303P H OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS -30 V Dual P-Channel in SO8 VGS=-10V RDS(on),max 21 mW Enhancement mode VGS=-4.5V 32 Logic level ID -8.2 A 150 C operating temperature Qualified according JEDEC for target applications SO 8 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Type

 8.1. Size:332K  infineon
 bso303sp .pdf pdf_icon

BSO303P

BSO303SP H OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features V -30 V DS single P-Channel in SO8 VGS=-4.5 V R 21 m DS(on),max Enhancement mode VGS=-2.5 V 31 m Logic level I -9.1 A D 150 C operating temperature PG-DSO-8 Qualified according JEDEC for traget applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IE

 8.2. Size:623K  infineon
 bso303sp.pdf pdf_icon

BSO303P

BSO303SP H OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features VDS -30 V single P-Channel in SO8 RDS(on),max VGS=-10 V 21 mW Enhancement mode VGS=-4.5 V 31 mW Logic level ID -9.1 A 150 C operating temperature PG-DSO-8 Qualified according JEDEC for traget applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ty

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSO200P03S, BSO201SP, BSO203P, BSO203SP, BSO207P, BSO211P, BSO220N03MD, BSO301SP, 20N50, BSO303SP, BSO612CVG, BSO615CG, BSP123, BSP125, BSP129, BSP135, BSP149