BSP135 - описание и поиск аналогов

 

BSP135. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSP135

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 45 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для BSP135

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP135 даташит

 ..1. Size:411K  siemens
bsp135.pdfpdf_icon

BSP135

SIPMOS Small-Signal Transistor BSP 135 VDS 600 V ID 0.100 A RDS(on) 60 N channel Depletion mode High dynamic resistance Available grouped in VGS(th) Type Ordering Tape and Reel Information Pin Configuration Marking Package Code 1 2 3 4 BSP 135 Q62702-S655 E6327 1000 pcs/reel G D S D BSP 135 SOT-223 BSP 135 Q67000-S283 E6906 1000 pcs/reel VGS(th) selected in groups

 ..2. Size:379K  infineon
bsp135.pdfpdf_icon

BSP135

BSP135 SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 600 V N-channel RDS(on),max 60 W Depletion mode IDSS,min 0.02 A dv /dt rated Available with V indicator on reel GS(th) Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-SOT223 Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and Reel Information Marking Packaging Type Package Tape and Ree

 9.1. Size:74K  philips
bsp130 cnv 2.pdfpdf_icon

BSP135

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSP130 D-MOS transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL, SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNI

 9.2. Size:80K  philips
bsp130.pdfpdf_icon

BSP135

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET age M3D087 BSP130 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Product specification 2001 Dec 11 Supersedes data of 1997 Jun 23 Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSP130 vertical D-MOS transistor FEATURES PINNING - SOT223 Direct interface to C-MOS, TTL, etc. PIN DESCRIPTION High-speed switch

Другие MOSFET... BSO301SP , BSO303P , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , BSP125 , BSP129 , AON7506 , BSP149 , BSP254A , BSP295 , BSP296 , BSP296N , BSP297 , BSP298 , BSP299 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.