Справочник MOSFET. BSP135

 

BSP135 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP135
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP135 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  siemens
bsp135.pdfpdf_icon

BSP135

SIPMOS Small-Signal Transistor BSP 135 VDS 600 V ID 0.100 A RDS(on) 60 N channel Depletion mode High dynamic resistance Available grouped in VGS(th)Type Ordering Tape and Reel Information Pin Configuration Marking PackageCode1 2 3 4BSP 135 Q62702-S655 E6327: 1000 pcs/reel G D S D BSP 135 SOT-223BSP 135 Q67000-S283 E6906: 1000 pcs/reelVGS(th) selected in groups:

 ..2. Size:379K  infineon
bsp135.pdfpdf_icon

BSP135

BSP135SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 600 V N-channelRDS(on),max 60 W Depletion modeIDSS,min 0.02 A dv /dt rated Available with V indicator on reelGS(th) Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-SOT223 Qualified according to AEC Q101Type Package Tape and Reel Information Marking Packaging Type Package Tape and Ree

 9.1. Size:74K  philips
bsp130 cnv 2.pdfpdf_icon

BSP135

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP130N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP130D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNI

 9.2. Size:80K  philips
bsp130.pdfpdf_icon

BSP135

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETageM3D087BSP130N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorProduct specification 2001 Dec 11Supersedes data of 1997 Jun 23Philips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement modeBSP130vertical D-MOS transistorFEATURES PINNING - SOT223 Direct interface to C-MOS, TTL, etc.PIN DESCRIPTION High-speed switch

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.