Справочник MOSFET. BSP254A

 

BSP254A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP254A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP254A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  philips
bsp254 bsp254a cnv 2.pdfpdf_icon

BSP254A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP254; BSP254AP-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement mode verticalBSP254; BSP254AD-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER CONDIT

 ..2. Size:63K  philips
bsp254a.pdfpdf_icon

BSP254A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP254; BSP254AP-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement mode verticalBSP254; BSP254AD-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER CONDIT

 9.1. Size:65K  philips
bsp255.pdfpdf_icon

BSP254A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP255P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1996 Aug 05Product specificationSupersedes data of 1996 Jun 13File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSP255vertical D-MOS transistorFEATURES PINNING - SOT223 Direct interface to C-MOS, TTL etcPIN SYMBOL

 9.2. Size:93K  philips
bsp250.pdfpdf_icon

BSP254A

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP250P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1997 Jun 20Product specificationSupersedes data of November 1994File under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSP250vertical D-MOS transistorFEATURES PINNING - SOT223 High-speed switchingPIN SYMBOL DESCRIPTIO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSG9575 | JCS5N50CT | FQT5P10 | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.