BSS7728N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSS7728N
Маркировка: sSK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1 nC
Время нарастания (tr): 2.7 ns
Выходная емкость (Cd): 7.3 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
BSS7728N Datasheet (PDF)
bss7728n.pdf
Rev. 2.5BSS7728N SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 60 V N-ChannelRDS(on) 5 Enhancement modeID 0.2 A Logic LevelPG-SOT-23 dv/dt ratedDrainpin 3 Qualified according to AEC Q101Gatepin1 Halogen-free according to IEC61249-2-21Sourcepin 2Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingPG-SOT-23 YesBSS7728
bss7728ng.pdf
Rev. 2.4BSS7728N GSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 60 V N-ChannelRDS(on) 5 Enhancement modeID 0.2 A Logic LevelPG-SOT-23 dv/dt ratedDrainpin 3Gatepin1Sourcepin 2Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingPG-SOT-23 YesBSS7728N L6327: 3000 pcs/reel sSKMaximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise spe
bss7728.pdf
BSS 7728SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.0...2.5VPin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 7728 60 V 0.15 A 7.5 SOT-23 sSJType Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 7728 Q67000-S307 E6327Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 60 VVDrain-gate voltageDGRRGS =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
