Справочник MOSFET. BSZ0506NS

 

BSZ0506NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ0506NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8FL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ0506NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1578K  infineon
bsz0506ns.pdfpdf_icon

BSZ0506NS

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 30 VBSZ0506NSData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 30 VBSZ0506NSTSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance buck converters (Server,VGA) Very low FOM for high frequency SMPSQ

 8.1. Size:318K  infineon
bsz050n03ms.pdfpdf_icon

BSZ0506NS

BSZ050N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 4.5mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 5.7GS 100% avalanche tested I 40 ADPG-TSDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product

 8.2. Size:1645K  infineon
bsz0500nsi.pdfpdf_icon

BSZ0506NS

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 30 VBSZ0500NSIData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 30 VBSZ0500NSITSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance buck converters Monolithic integrated Schottky-like diode Ver

 8.3. Size:1594K  infineon
bsz0501nsi.pdfpdf_icon

BSZ0506NS

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 30 VBSZ0501NSIData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-MOSFET, 30 VBSZ0501NSITSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance buck converters Monolithic integrated Schottky-like diode Ver

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.