BTS282ZE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTS282ZE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 49 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1090 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220-7

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BTS282ZE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BTS282ZE даташит

 ..1. Size:376K  infineon
bts282z bts282ze.pdfpdf_icon

BTS282ZE

Speed TEMPFET BTS 282 Z 1 1 7 7 PG-TO220-7-180 PG-TO220-7-3 Green Product (RoHS compliant) PG-TO220-7-230

 7.1. Size:87K  siemens
bts282z.pdfpdf_icon

BTS282ZE

BTS 282 Z Speed TEMPFET N-Channel Enhancement mode Logic Level Input 1 VPT05167 Analog driving possible 7 Fast switching up to 1 MHz Potential-free temperature sensor with thyristor characteristics Overtemperature protection Avalanche rated High current pinning Type Package Marking Ordering Code VDS RDS(on) BTS 282 Z 49 V P-TO220-7-3 - Q67

 7.2. Size:387K  infineon
bts282z.pdfpdf_icon

BTS282ZE

Speed TEMPFET BTS282Z Speed TEMPFET 1 1 7 PG-TO263-7-1 PG-TO220-7-12 7 Green Product (RoHS compliant) AEC Quali

Другие IGBT... BSZ0908ND, BSZ097N10NS5, BSZ110N08NS5, BSZ150N10LS3G, BSZ15DC02KD, BTS140A, BTS244Z, BTS282Z, IRF530, 10N12, 10N45, 12N18, 12N20, 12N45, 12N45A, 15N05, 15N12