BTS282ZE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BTS282ZE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 49 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1090 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220-7
Аналог (замена) для BTS282ZE
BTS282ZE Datasheet (PDF)
bts282z bts282ze.pdf
Speed TEMPFETBTS 282 Z 11 77PG-TO220-7-180PG-TO220-7-3 Green Product (RoHS compliant) PG-TO220-7-230
bts282z.pdf
BTS 282 ZSpeed TEMPFET N-Channel Enhancement mode Logic Level Input 1VPT05167 Analog driving possible7 Fast switching up to 1 MHz Potential-free temperature sensor with thyristor characteristics Overtemperature protection Avalanche rated High current pinningType Package Marking Ordering CodeVDS RDS(on)BTS 282 Z 49 V P-TO220-7-3 - Q67
bts282z.pdf
Speed TEMPFETBTS282ZSpeed TEMPFET 1 1 7PG-TO263-7-1PG-TO220-7-127 Green Product (RoHS compliant) AEC Quali
Другие MOSFET... BSZ0908ND , BSZ097N10NS5 , BSZ110N08NS5 , BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , IRF530 , 10N12 , 10N45 , 12N18 , 12N20 , 12N45 , 12N45A , 15N05 , 15N12 .
History: RJK0391DPA | SIHFIBF20G | SIA929DJ | SIHFIBC30G | IXTA4N150HV
History: RJK0391DPA | SIHFIBF20G | SIA929DJ | SIHFIBC30G | IXTA4N150HV
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP18P30Q | AP180N03G | AP1606 | AP1605 | AP15N10K | AP150N03Q | AP150N03G | AP1310K | AP1310 | AP12N10S | AP120N04K | AP120N03 | AP1002 | AP0903GD | AP0903G | AGM601LL
Popular searches
bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z




