BUK444-200A - аналоги и даташиты транзистора

 

BUK444-200A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUK444-200A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для BUK444-200A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK444-200A Datasheet (PDF)

 0.1. Size:59K  philips
 buk444-200a-b.pdf pdf_icon

BUK444-200A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK444-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. BUK444 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 5.3 4.7

 0.2. Size:59K  philips
 buk444-200a-b 1.pdf pdf_icon

BUK444-200A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK444-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic full-pack envelope. BUK444 -200A -200BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 5.3 4.7

 4.1. Size:226K  inchange semiconductor
 buk444-200.pdf pdf_icon

BUK444-200A

isc N-Channel MOSFET Transistor BUK444-200A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =200V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, And in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 4N60AS , 50N06FI , 5NA80 , 60N06-14 , 75N05E , 8N90A , 9N80A , 9N90L-T3P , HY1906P , BUK444-800 , BUK445-200B , BUK445-60H , BUK453-60B , BUK452-60A , BUK452-60B , BUK453-100B , BUK453-60A .

History: PDC3912Z | PTP08N65

 

 
Back to Top

 


 
.