BUK444-200B - описание и поиск аналогов

 

BUK444-200B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK444-200B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для BUK444-200B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK444-200B даташит

 4.1. Size:59K  philips
 buk444-200a-b.pdf pdf_icon

BUK444-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK444-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK444 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 5.3 4.7

 4.2. Size:59K  philips
 buk444-200a-b 1.pdf pdf_icon

BUK444-200B

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK444-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK444 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 5.3 4.7

 4.3. Size:226K  inchange semiconductor
 buk444-200.pdf pdf_icon

BUK444-200B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK445-60B , BUK454-200B , BUK455-60A , BUK455-60B , BUK445-60A , BUK456-60A , BUK456-60B , 9N90L-TF1 , IRLZ44N , BUZ14 , BUZ15 , BUZ205 , BUZ211 , BUZ330 , IRFAC32 , JCS24N50WH , JCS24N50ABH .

History: IXFT50N50P3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.