MSAFX10N90A - описание и поиск аналогов

 

MSAFX10N90A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSAFX10N90A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-276AB

Аналог (замена) для MSAFX10N90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSAFX10N90A даташит

 ..1. Size:37K  microsemi
10n90a msafx10n90a.pdfpdf_icon

MSAFX10N90A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX10N90A Features 900 Volts Ultrafast body diode 10 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability 1.1 Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistance N-CHANNEL Rev

 8.1. Size:44K  microsemi
msafx11p50a.pdfpdf_icon

MSAFX10N90A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX11P50A Features 500 Volts High voltage p-channel power mosfet; complements MSAFX24N50A Ultrafast body diode 11 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability 750 m Hermetically sealed, surface mount power package

 9.1. Size:33K  microsemi
msafx76n07a.pdfpdf_icon

MSAFX10N90A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX76N07A Features 70 Volts Ultrafast body diode 76 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability 12 m Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistance N-CHANNEL

 9.2. Size:34K  microsemi
20n60a msafx20n60a.pdfpdf_icon

MSAFX10N90A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX20N60A Features 600 Volts Ultrafast body diode 20 Amps Rugged polysilicon gate cell structure 350 m Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance N-CHANNEL Very low thermal resistance

Другие MOSFET... MSAER12N50A , MSAER30N20A , MSAER38N10A , MSAER57N10A , MSAEZ50N10A , MSAFR12N50A , MSAFR30N20A , MSAFR38N10A , 60N06 , MSAFX11P50A , MSAFX20N60A , MSAFX75N10A , MSAFZ50N10A , MSB15N60 , MSB22A04Q8 , MSB55N03N3 , MSC22N03 .

History: PSMN3R3-80ES | MSAFX20N60A | P0550BT | P0550ATF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.