Справочник MOSFET. MSAFX10N90A

 

MSAFX10N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSAFX10N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-276AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSAFX10N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  microsemi
 10n90a msafx10n90a.pdf pdf_icon

MSAFX10N90A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256 MSAFX10N90AFeatures900 Volts Ultrafast body diode10 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability1.1 Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistanceN-CHANNEL Rev

 8.1. Size:44K  microsemi
 msafx11p50a.pdf pdf_icon

MSAFX10N90A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX11P50AFeatures500 Volts High voltage p-channel power mosfet; complements MSAFX24N50A Ultrafast body diode11 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability750 m Hermetically sealed, surface mount power package

 9.1. Size:33K  microsemi
 msafx76n07a.pdf pdf_icon

MSAFX10N90A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX76N07AFeatures70 Volts Ultrafast body diode76 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability12 m Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistanceN-CHANNEL

 9.2. Size:34K  microsemi
 20n60a msafx20n60a.pdf pdf_icon

MSAFX10N90A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX20N60AFeatures600 Volts Ultrafast body diode 20 Amps Rugged polysilicon gate cell structure350 m Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductanceN-CHANNEL Very low thermal resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FCP290N80 | STB24NM60N | AP55T10GH-HF | 2SK610 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | PTP80N06

 

 
Back to Top

 


 
.