IPU25CN10N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPU25CN10N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для IPU25CN10N
IPU25CN10N Datasheet (PDF)
ipb26cn10n-g ipd25cn10n-g ipi26cn10n-g ipp26cn10n-g ipu25cn10n-g.pdf

IPB26CN10N G IPD25CN10N GIPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 25mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 35 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi
Другие MOSFET... MTE55N10FP , MTE55N20J3 , MTE6D5N12B0E3 , MTE8D0N08H8 , MTG9N50E , MTH13N45 , MTH13N50 , MTH15N35 , 5N60 , IPB35CN10N , IPU33CN10N , IPB80CN10N , IPU78CN10N , MTH15N40 , MTH20N15 , MTH5N100 , MTH5N95 .
History: 2SK2914 | WMO10N105C2 | IRF5M3710
History: 2SK2914 | WMO10N105C2 | IRF5M3710



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent