SML100J22 - описание и поиск аналогов

 

SML100J22. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SML100J22

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 7400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для SML100J22

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SML100J22 даташит

 ..1. Size:23K  semelab
sml100j22.pdfpdf_icon

SML100J22

SML100J22 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3

 7.1. Size:23K  semelab
sml100j19 sml100j19f.pdfpdf_icon

SML100J22

SML100J19 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3

 7.2. Size:23K  semelab
sml100j34.pdfpdf_icon

SML100J22

SML100J34 SOT 227 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 11.8 (0.463) 12.2 (0.480) 31.5 (1.240) N CHANNEL 31.7 (1.248) 8.9 (0.350) 7.8 (0.307) 4.1 (0.161 ) 8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378) Hex Nut M 4 4.3 (0.169 ) ENHANCEMENT MODE (4 places) 4.8 (0.187) H = 4.9 (0.193) 1 2 (4 places) HIGH VOLTAGE R POWER MOSFETS 4.0 (0.157) 0.75 (0.030) 4.2 (0.165) 0.85 (0.033) 4 3

 8.1. Size:20K  semelab
sml100c4.pdfpdf_icon

SML100J22

SML100C4 TO 254 Package Outline. Dimensions in mm (inches) 13.59 (0.535) 6.32 (0.249) N CHANNEL 13.84 (0.545) 6.60 (0.260) 3.53 (0.139) 1.02 (0.040) Dia. 3.78 (0.149) 1.27 (0.050) ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS 1 2 3 VDSS 1000V ID(cont) 3.6A RDS(on) 4.00 0.89 (0.035) 1.14 (0.045) 3.81 (0.150) 3.81 (0.150) BSC BSC Faster Switching Pin 1 Drain Pin 2

Другие MOSFET... SML1004RKN , SML100A9 , SML100B11 , SML100B13 , SML100C4 , SML100C6 , SML100H11 , SML100J19 , IRF9640 , SML100J34 , SML100L21 , SML100S11 , SML100S13 , SML100T21 , SML100W18 , SML10B75 , SML10B75XX .

History: NTB5404N | 8205B | IPAN60R800CE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.