Справочник MOSFET. MTM23110

 

MTM23110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTM23110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT-346

 Аналог (замена) для MTM23110

 

 

MTM23110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  panasonic
 mtm23110.pdf

MTM23110 MTM23110

MTM23110Silicon P-channel MOSFETFor switching Overview PackageMTM23110 is P-channel MOS FET for load switch circuits. Code SMini3-G1-B Features Pin Name Low voltage drive (1.8 V, 2.5 V, 4 V) 1: Gate Realization of low on-resistance, using extremely fine process 2: Source Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. 3:

 8.1. Size:433K  panasonic
 mtm23123.pdf

MTM23110 MTM23110

MTM23123Silicon P-channel MOSFETFor switching Overview PackageMTM23123 is P-channel MOS FET for load switch circuits. Code SMini3-G1-B Features Pin Name Low voltage drive (2.5 V, 4 V) 1: Gate Realization of low on-resistance, using extremely fine process 2: Source Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. 3: Drain E

 9.1. Size:439K  panasonic
 mtm23227.pdf

MTM23110 MTM23110

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM23227Silicon N-channel MOSFETFor switching Overview PackageMTM23227 is the l N-channel MOS FET that is highly suitable ofr DC-DC Codeconverter and other switching circuits. SMini3-G1-B Pin Name Features 1: Gate 2: Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process (4.6 mW

 9.2. Size:357K  panasonic
 mtm232270lbf.pdf

MTM23110 MTM23110

Doc No. TT4-EA-13115Revision. 2Product StandardsMOS FETMTM232270LBFMTM232270LBFSilicon N-channel MOS FETUnit : mm For switching2.0MTM13227 in SMini3 type package0.3 0.153 Features Low drain-source On-state resistance : RDS(on) typ = 85 m (VGS = 4.0 V) Low drive voltage: 2.5 V driveHalogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 c

 9.3. Size:492K  panasonic
 mtm232230lbf.pdf

MTM23110 MTM23110

Doc No. TT4-EA-12901Revision. 3MOS FETMTM232230LBFMTM232230LBFNMOS FETUnit : mm 2.00.3 0.153 RDS(on) typ = 20 m (VGS = 4.0 V) 2.5 V (EU RoHS / UL-94

 9.4. Size:431K  panasonic
 mtm23223.pdf

MTM23110 MTM23110

MTM23223Silicon N-channel MOSFETFor switching Overview PackageMTM23223 is N-channel MOS FET for load switch circuits. Code SMini3-G1-B Pin Name Features 1: Gate Low voltage drive (2.5 V, 4 V) 2: Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process 3: Drain Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top