Справочник MOSFET. MTM23227

 

MTM23227 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTM23227
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SOT-346
 

 Аналог (замена) для MTM23227

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM23227 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  panasonic
mtm23227.pdfpdf_icon

MTM23227

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM23227Silicon N-channel MOSFETFor switching Overview PackageMTM23227 is the l N-channel MOS FET that is highly suitable ofr DC-DC Codeconverter and other switching circuits. SMini3-G1-B Pin Name Features 1: Gate 2: Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process (4.6 mW

 0.1. Size:357K  panasonic
mtm232270lbf.pdfpdf_icon

MTM23227

Doc No. TT4-EA-13115Revision. 2Product StandardsMOS FETMTM232270LBFMTM232270LBFSilicon N-channel MOS FETUnit : mm For switching2.0MTM13227 in SMini3 type package0.3 0.153 Features Low drain-source On-state resistance : RDS(on) typ = 85 m (VGS = 4.0 V) Low drive voltage: 2.5 V driveHalogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 c

 7.1. Size:492K  panasonic
mtm232230lbf.pdfpdf_icon

MTM23227

Doc No. TT4-EA-12901Revision. 3MOS FETMTM232230LBFMTM232230LBFNMOS FETUnit : mm 2.00.3 0.153 RDS(on) typ = 20 m (VGS = 4.0 V) 2.5 V (EU RoHS / UL-94

 7.2. Size:431K  panasonic
mtm23223.pdfpdf_icon

MTM23227

MTM23223Silicon N-channel MOSFETFor switching Overview PackageMTM23223 is N-channel MOS FET for load switch circuits. Code SMini3-G1-B Pin Name Features 1: Gate Low voltage drive (2.5 V, 4 V) 2: Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process 3: Drain Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

Другие MOSFET... MTM15N45 , MTM15N50 , MTM20N15 , MTM20P10 , MTM23110 , MTM23123 , MTM23223 , MTM232230LBF , K2611 , MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , MTM26N40E , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 .

History: ZXMN3AMC | GSM3410 | AP2303GN | 2SK2708 | STW12NK95Z | MTM232270LBF | 2SK3541T2L

 

 
Back to Top

 


 
.