Справочник MOSFET. MTM25N10

 

MTM25N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTM25N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 450 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AE
 

 Аналог (замена) для MTM25N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM25N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  njs
mtm25n10.pdfpdf_icon

MTM25N10

Другие MOSFET... MTM23110 , MTM23123 , MTM23223 , MTM232230LBF , MTM23227 , MTM232270LBF , MTM24N45E , MTM24N50 , IRF730 , MTM26N40E , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , MTM30N50 , MTM3N60 , MTM40N20 , MTM45N15 .

 

 
Back to Top

 


 
.