Справочник MOSFET. MTP10N08

 

MTP10N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP10N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP10N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  fairchild semi
 irf120 irf121 irf122 irf123 mtp10n08.pdf pdf_icon

MTP10N08

 8.1. Size:221K  motorola
 mtp10n10el.pdf pdf_icon

MTP10N08

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP10N10EL/DDesigner's Data SheetMTP10N10ELLogic Level TMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS power FET is designed to withstand high10 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. This new energy

 8.2. Size:887K  motorola
 mtm10n25 mtp10n25.pdf pdf_icon

MTP10N08

 8.3. Size:237K  motorola
 mtp10n10erev0x.pdf pdf_icon

MTP10N08

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP10N10E/DDesigner's Data SheetMTP10N10ETMOS IVPower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETsThis advanced E series of TMOS power MOSFETs is designed10 AMPERESto withstand high energy in the avalanche and commutation100 VOLTSmodes. These new energy efficient d

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NCE01H11 | RU1HL8L | IXTH10N60 | TSM4946DCS | UPA1770 | KRF7703 | 2SK2838K

 

 
Back to Top

 


 
.