MTP12P05 - описание и поиск аналогов

 

MTP12P05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP12P05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 575 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP12P05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP12P05 даташит

 ..1. Size:90K  njs
 mtm12p05 mtm12p06 mtm12p08 mtm12p10 mtp12p05 mtp12p06 mtp12p08 mtp12p10.pdf pdf_icon

MTP12P05

 8.1. Size:164K  motorola
 mtp12p10.pdf pdf_icon

MTP12P05

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP12P10/D Designer's Data Sheet MTP12P10 Power Field Effect Transistor P Channel Enhancement Mode Silicon Gate This TMOS Power FET is designed for medium voltage, high TMOS POWER FET speed power switching applications such as switching regulators, 12 AMPERES converters, solenoid and relay drivers. 100 VOLTS S

 8.2. Size:190K  motorola
 mtp12p10rev1a.pdf pdf_icon

MTP12P05

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP12P10/D Designer's Data Sheet MTP12P10 Power Field Effect Transistor P Channel Enhancement Mode Silicon Gate This TMOS Power FET is designed for medium voltage, high TMOS POWER FET speed power switching applications such as switching regulators, 12 AMPERES converters, solenoid and relay drivers. 100 VOLTS S

 8.3. Size:72K  onsemi
 mtp12p10-d mtp12p10g.pdf pdf_icon

MTP12P05

MTP12P10 Preferred Device Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts P-Channel TO-220 This Power MOSFET is designed for medium voltage, high speed http //onsemi.com power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. 12 AMPERES, 100 VOLTS Features RDS(on) = 300 mW Silicon Gate for Fast Switching Speeds - Switching Times Specified P-Channel a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFH10N45 , RFH10N50 , SMD15N05 , SMU15N05 , MTP12N10E , MTP12N10L , MTP12N18 , MTP12N20 , IRF530 , MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , MTP15N05 , MTP15N05E , MTP15N06 , MTP1N100 .

History: SL9N150T | SWP70N10V | SPB80N06S2-09 | TPCP8001-H | SE472

 

 

 

 

↑ Back to Top
.