Справочник MOSFET. MTP15N06

 

MTP15N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP15N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP15N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP15N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  njs
mtp15n05 mtp15n06.pdfpdf_icon

MTP15N06

 0.1. Size:216K  motorola
mtp15n06vl.pdfpdf_icon

MTP15N06

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP15N06VL/DDesigner's Data SheetMTP15N06VLTMOS VPower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-15 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew technology more tha

 0.2. Size:163K  motorola
mtp15n06v.pdfpdf_icon

MTP15N06

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP15N06VDesigner's Data SheetMTP15N06VTMOS VMotorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-15 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew

 7.1. Size:459K  st
mtp15n05l-06l-fi.pdfpdf_icon

MTP15N06

Другие MOSFET... MTP12N20 , MTP12P05 , MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , MTP15N05 , MTP15N05E , P60NF06 , MTP1N100 , MTP1N50 , MTP1N50E , MTP1N55 , MTP1N60 , MTP1N60E , MTP1N80E , MTP1N95 .

History: KI5513DC | APT5018BLL | BRI7N65 | 4N90G-TF1-T | HY4008W | ME20N03 | TPD60R530M

 

 
Back to Top

 


 
.