MTP1N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTP1N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB TO-251
Аналог (замена) для MTP1N60
MTP1N60 Datasheet (PDF)
mtp1n60erev1x.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N60E/DDesigner's Data SheetMTP1N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra
mtp1n60e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N60E/DDesigner's Data SheetMTP1N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without600 VOLTSdegra
mtp1n50erev1x.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N50E/DDesigner's Data SheetMTP1N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra
Другие MOSFET... MTP12P10G , MTP15N05 , MTP15N05E , MTP15N06 , MTP1N100 , MTP1N50 , MTP1N50E , MTP1N55 , 5N65 , MTP1N60E , MTP1N80E , MTP1N95 , MTP20N10E , MTP20N15EG , MTP20N20E , MTP20P06 , MTP23P06V .
History: AON6406 | VBQA1102N | CPH3430 | DMN3016LDN | SI4946BEY | FDD6N50TM-F085 | FDD86367-F085
History: AON6406 | VBQA1102N | CPH3430 | DMN3016LDN | SI4946BEY | FDD6N50TM-F085 | FDD86367-F085



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor