MTP2N45 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTP2N45  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTP2N45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N45 даташит

 ..1. Size:157K  fairchild semi
 mtp2n45.pdf pdf_icon

MTP2N45

 8.1. Size:217K  motorola
 mtp2n40erev0bx.pdf pdf_icon

MTP2N45

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N40E/D Designer's Data Sheet MTP2N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 400 VOLTS degra

 8.2. Size:140K  motorola
 mtp2n40e.pdf pdf_icon

MTP2N45

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP2N40E/D Designer's Data Sheet MTP2N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 2.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 400 VOLTS degra

 8.3. Size:786K  njs
 mtp2n35 mtp2n40.pdf pdf_icon

MTP2N45

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP25N05E, MTP2955, MTP2955V, MTP2N18, MTP2N20, MTP2N35, MTP2N40, MTP2N40E, 2N60, MTP2N50E, MTP2N55, MTP2N60, MTP2N60E, MTP2N80, MTP2N85, MTP2N90, MTP2P45