MTP5N06 - описание и поиск аналогов

 

MTP5N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP5N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP5N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5N06 даташит

 ..1. Size:107K  njs
 mtp4n08 mtp4n10 mtp5n05 mtp5n06.pdf pdf_icon

MTP5N06

 9.1. Size:171K  motorola
 mtp5n40e.pdf pdf_icon

MTP5N06

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP5N40E/D Designer's Data Sheet MTP5N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 5.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 400 VOLTS This new

 9.2. Size:258K  motorola
 mtp5n40erev1a.pdf pdf_icon

MTP5N06

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP5N40E/D Designer's Data Sheet MTP5N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 5.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 400 VOLTS This new

 9.3. Size:56K  njs
 mtp5n60.pdf pdf_icon

MTP5N06

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP4N50 , MTP4N60 , MTP4N80E , MTP4N85 , MTP4N90 , MTP50N06V , MTP50P03HDLG , MTP5N05 , IRFP260N , MTP5N35 , MTP5N40 , MTP5N40E , MTP5N60 , MTP5P18 , MTP5P20 , MTP5P25 , MTP6N60E .

History: LSH60R2K5HT | TT8U2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.