Справочник MOSFET. MTP5N06

 

MTP5N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP5N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP5N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  njs
 mtp4n08 mtp4n10 mtp5n05 mtp5n06.pdf pdf_icon

MTP5N06

 9.1. Size:171K  motorola
 mtp5n40e.pdf pdf_icon

MTP5N06

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP5N40E/DDesigner's Data SheetMTP5N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to5.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.400 VOLTSThis new

 9.2. Size:258K  motorola
 mtp5n40erev1a.pdf pdf_icon

MTP5N06

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP5N40E/DDesigner's Data SheetMTP5N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to5.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.400 VOLTSThis new

 9.3. Size:56K  njs
 mtp5n60.pdf pdf_icon

MTP5N06

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP4N50 , MTP4N60 , MTP4N80E , MTP4N85 , MTP4N90 , MTP50N06V , MTP50P03HDLG , MTP5N05 , 10N60 , MTP5N35 , MTP5N40 , MTP5N40E , MTP5N60 , MTP5P18 , MTP5P20 , MTP5P25 , MTP6N60E .

History: 2SK3412 | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | FDPF15N65YDTU | 6N60KG-TF3-T | IPA60R125P6

 

 
Back to Top

 


 
.