SUP40N06-25L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SUP40N06-25L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для SUP40N06-25L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SUP40N06-25L даташит
sup40n06-25l sub40n06-25l.pdf
SUP/SUB40N06-25L Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic Level PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.022 @ VGS = 10 V 40 60 60 0.025 @ VGS = 4.5 V 40 TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View G D S SUB40N06-25L S Top View N-Channel MOSFET SUP40N06-25L ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol
sup40n10-30 sup40n10.pdf
SUP40N10-30 Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 0.034 at VGS = 6 V 37.5 COMPLIANT TO-220AB D G G D S Top View S Ordering Information SUP40N10-30 SUP40N10-30-E3 (Lead (Pb)-free) N-Channe
sup40n25-60.pdf
SUP40N25-60 Vishay Siliconix N-Channel 250 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction Temperature RoHS 0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package 250 95 0.064 at VGS = 6 V 38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS TO-220AB Ind
sup40p10-43.pdf
New Product SUP40P10-43 Vishay Siliconix P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.043 at VGS = - 10 V - 36 - 100 54 nC 100 % Rg Tested 0.048 at VGS = - 4.5 V - 34.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS LCD Inve
Другие MOSFET... 2SK766 , 2SK767 , 40N20 , FIR4N65F , IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , IRF9540 , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 .
History: STC4301D | SM3303PSQG | RU1H150R | SM2416NSAN | SM1A27PSUB | 2SJ181S | SM2307PSA
History: STC4301D | SM3303PSQG | RU1H150R | SM2416NSAN | SM1A27PSUB | 2SJ181S | SM2307PSA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor




