SPD50N06S2-14 - описание и поиск аналогов

 

SPD50N06S2-14. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD50N06S2-14

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 404 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD50N06S2-14

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD50N06S2-14 даташит

 ..1. Size:268K  infineon
spd50n06s2-14.pdfpdf_icon

SPD50N06S2-14

SPD50N06S2-14 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 14.4 m Enhancement mode ID 50 A 175 C operating temperature P- TO252 -3-11 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPD50N06S2-14 P- TO252 -3-11 Q67060-S7418 PN0614 Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specified Parameter Symbo

 7.1. Size:1183K  infineon
spd50n03s2l-06.pdfpdf_icon

SPD50N06S2-14

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 6.4 m Logic Level ID 50 A P - TO252 -3 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy

 7.2. Size:272K  infineon
spd50n03s2l-06 spd50n03s2l-06t.pdfpdf_icon

SPD50N06S2-14

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) 6.4 m Enhancement mode ID 50 A Logic Level PG-TO252-3-11 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SP

 7.3. Size:1181K  infineon
spd50n03s2-07 .pdfpdf_icon

SPD50N06S2-14

SPD50N03S2-07 G OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) 7.3 m Enhancement mode ID 50 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) P -TO252-3 Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy Type Package Marking SPD50N03S2-07 L PN0307

Другие MOSFET... IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , IRF9540N , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 .

History: AFN4172WSS8 | MXP1018CT | IRLU110

 

 

 

 

↑ Back to Top
.