SPD50N06S2-14 - аналоги и даташиты транзистора

 

SPD50N06S2-14 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SPD50N06S2-14
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 404 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SPD50N06S2-14

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD50N06S2-14 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  infineon
 spd50n06s2-14.pdf pdf_icon

SPD50N06S2-14

SPD50N06S2-14OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) 14.4 m Enhancement modeID 50 A 175C operating temperatureP- TO252 -3-11 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPD50N06S2-14 P- TO252 -3-11 Q67060-S7418PN0614Maximum Ratings, at Tj = 25 C, unless otherwise specifiedParameter Symbo

 7.1. Size:1183K  infineon
 spd50n03s2l-06.pdf pdf_icon

SPD50N06S2-14

SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-TransistorFeatureProduct Summary N-ChannelVDS30 V Enhancement modeRDS(on) 6.4 m Logic LevelID 50 AP - TO252 -3 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsy

 7.2. Size:272K  infineon
 spd50n03s2l-06 spd50n03s2l-06t.pdf pdf_icon

SPD50N06S2-14

SPD50N03S2L-06OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS30 V N-ChannelRDS(on) 6.4 m Enhancement modeID 50 A Logic LevelPG-TO252-3-11 High Current Rating Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSP

 7.3. Size:1181K  infineon
 spd50n03s2-07 .pdf pdf_icon

SPD50N06S2-14

SPD50N03S2-07 GOptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS30 V N-ChannelRDS(on) 7.3 m Enhancement modeID 50 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)P -TO252-3 Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ug2kwjj qjfi uqfynsl@ W tMX htruqnfsyType Package MarkingSPD50N03S2-07 L PN0307

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , IRF9540N , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 .

 

 
Back to Top

 


 
.