SPB80N06S2L-09 - описание и поиск аналогов

 

SPB80N06S2L-09. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPB80N06S2L-09

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SPB80N06S2L-09

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB80N06S2L-09 даташит

 ..1. Size:311K  infineon
spp80n06s2l-09 spb80n06s2l-09.pdfpdf_icon

SPB80N06S2L-09

SPP80N06S2L-09 SPB80N06S2L-09 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 8.5 m Enhancement mode ID 80 A Logic Level P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2L-09 P- TO220 -3-1 Q67060-S6031 2N06L09 SPB80N06S2L-09 P- TO263 -3-2

 1.1. Size:308K  infineon
spp80n06s2l-07 spb80n06s2l-07.pdfpdf_icon

SPB80N06S2L-09

SPP80N06S2L-07 SPB80N06S2L-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 7 m Enhancement mode ID 80 A Logic Level P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2L-07 P- TO220 -3-1 Q67040-S4285 2N06L07 SPB80N06S2L-07 P- TO263 -3-2 Q6

 2.1. Size:311K  infineon
spp80n06s2l-h5 spb80n06s2l-h5.pdfpdf_icon

SPB80N06S2L-09

SPP80N06S2L-H5 SPB80N06S2L-H5 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) 5 m Enhancement mode ID 80 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2L-H5 P- TO220 -3-1 Q67060-S6054 2N06LH5 SPB80N06S2L-H5 P- TO263 -3-2 Q67060-S6055 2N06LH5 Maximum Ratings, a

 4.1. Size:345K  infineon
spp80n06s2-05 spb80n06s2-05.pdfpdf_icon

SPB80N06S2L-09

www.DataSheet4U.com SPP80N06S2-05 SPB80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 55 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 4.8 m Enhancement mode ID 80 A 175 C operating temperature P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking SPP80N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67040-S4245 2N0605 SPB80N06S2-05

Другие MOSFET... SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPP20N60C3 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 , SPP100N06S2L-05 , SPB100N06S2L-05 , G1003 , G1818 , G2002L , GKI03026 .

History: AP05N50EH-HF | MSD4N70 | MDU2511SVRH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.