GKI04048. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: GKI04048
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для GKI04048
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
GKI04048 даташит
gki04048.pdf
40 V, 26 A, 4.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04048 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 5.4 m max. (VGS = 10 V, ID = 35.4 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID =
gki04031.pdf
40 V, 40 A, 2.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04031 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 51.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID =
gki04076.pdf
40 V, 26 A, 6.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04076 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 8.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.3 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 7.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 29
gki04101.pdf
40 V, 26 A, 9.3 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04101 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 11.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 18.8 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 5.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 23.
Другие MOSFET... G1003 , G1818 , G2002L , GKI03026 , GKI03039 , GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 , AON7506 , GKI04076 , GKI04101 , GKI06071 , GKI06109 , GKI06185 , GKI06259 , GKI07113 , GKI07174 .
History: MEM2301 | CS4N80A4HD-G | 2SK3417K | IRLML5203GPBF | CMU12N10 | CM1N70
History: MEM2301 | CS4N80A4HD-G | 2SK3417K | IRLML5203GPBF | CMU12N10 | CM1N70
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout




